Этот NPN-компонент рассчитан на максимальный ток коллектора 500 мА и напряжение до 45 В. При работе с нагрузками до 100 мА коэффициент усиления (hFE) варьируется от 100 до 600, что делает его подходящим для усилительных каскадов и ключевых схем.
Температурный диапазон эксплуатации: от -55°C до +150°C. При проектировании схем с высокой плотностью компонентов учитывайте тепловое сопротивление RthJA – 357°C/Вт. Для снижения нагрева используйте медные площадки на печатной плате.
Граничная частота переключения достигает 100 МГц, но для минимизации потерь в высокочастотных приложениях лучше работать в диапазоне до 50 МГц. Время включения/выключения – 20 нс при токе базы 10 мА.
Содержание материала
Bc817-16: параметры и документация
Для быстрого подбора аналогов обратите внимание на максимальный ток коллектора – 500 мА. Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) достигает 45 В.
Коэффициент усиления по току (hFE) варьируется от 100 до 600 при 2 мА. Рабочая температура: от -55°C до +150°C.
Корпус SOT-23 удобен для компактных схем. Для точных расчетов используйте графики зависимости hFE от тока в официальной документации производителя.
Максимальная рассеиваемая мощность – 330 мВт. При проектировании учитывайте, что переходная частота (fT) составляет 100 МГц.
Рекомендуемый ток базы – не более 5 мА. Для стабильной работы в ключевом режиме используйте резистор в цепи базы 1-10 кОм.
Основные параметры транзистора BC817-16 и их расшифровка
Максимальный ток коллектора (IC) – 500 мА. Это значение определяет предельную нагрузку, которую можно подключить без риска повреждения.
Коэффициент усиления
Коэффициент передачи тока (hFE) для версии -16 варьируется от 100 до 250. Чем выше значение, тем эффективнее усиливается слабый сигнал.
Рассеиваемая мощность
Максимальная мощность (Ptot) – 330 мВт при 25°C. Превышение этого значения ведет к перегреву и деградации кристалла.
Частотная характеристика (fT) – 100 МГц. Указывает на граничную частоту, при которой коэффициент усиления падает до единицы.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) – 0.7 В при IC = 500 мА. Чем ниже этот параметр, тем меньше потери в ключевом режиме.
Схемы включения транзистора BC817-16 в реальных устройствах
Для работы в ключевом режиме подключите нагрузку к коллектору, а управляющий сигнал подавайте на базу через резистор 1–10 кОм. При напряжении питания 5 В ток коллектора не должен превышать 500 мА.
Усилительный каскад: используйте схему с общим эмиттером. Номинал Rб = 47 кОм, Rэ = 1 кОм, Rк = 2.2 кОм. Коэффициент усиления составит ~100 при Uпит = 12 В.
Важно: для стабильной работы в диапазоне -55…+150°C добавляйте керамический конденсатор 100 нФ между эмиттером и землей.
В схемах с ШИМ-управлением подключайте затвор MOSFET через этот транзистор, ограничивая ток базы 20 мА. Частота коммутации – до 100 МГц при скважности не выше 80%.
Для защиты от обратных выбросов при коммутации индуктивной нагрузки установите диод 1N4148 параллельно катушке.
